Schmidsches Schubspannungsgesetz. Lexikon Pharmatechnologie - prozesstechnik online

Lexikon Pharmatechnologie

Schmidsches Schubspannungsgesetz

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Beschreibt für einen Kristall den mathematischen Zusammenhang zwischen aufgebrachter Zugspannung (Normalspannung) σ und der daraus in der Gleitebene des Kristalls wirkenden Schubspannung τ:

τ = σ sinχ cosλ

(χ = Winkel zwischen Zugrichtung und Gleitebene im Kristall, λ = Winkel zwischen Zugrichtung und Gleitrichtung im Kristall).

Der Term sinχ cosλ wird als Schmidfaktor bezeichnet.

Das Schmidsche Schubspannungsgesetz liefert eine gute Erklärung für das beobachtete Phänomen, dass ein Zugstab (Zugversuch) meist nicht senkrecht zur Zugrichtung reißt, sondern eine Bruchfläche (Bruch) unter ca. 45° zur Zugrichtung aufweist.

© 2013 – ECV – Lexikon der Pharmatechnologie

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